La firma estadounidense SanDisk anunció que ya está en producción su nueva memoria flash denominada 3D NAND para dispositivos móviles en las plantas de Yokkaichi, Japón, construidas junto con el fabricante japonés Toshiba.
SanDisk es una reconocida marca de sistemas de almacenamiento y tarjetas de memoria. La colaboración con Toshiba fue anunciada en el 2014 e incluye la construcción de plantas y una inversión conjunta superior a los $4.840 millones.
La tecnología flash aumenta las velocidades de funcionamiento al permitir más posiciones sobre las celdas de memoria en cada operación de programación.
El nuevo chip 3D NAND tiene capacidad de 256 GB y utiliza tecnología BiCS. Su comercialización empezaría el próximo año 2016.
BiCS (Bit Cost Scaling) es una arquitectura de memoria no volátil, de apilamiento vertical, que está diseñada para obtener más densidad, escalabilidad y rendimiento.
Con eso, se obtiene mayor resistencia, velocidad de escritura y eficiencia energética en relación con los actuales chips 2D NAND.
Los chips 3D NAND utilizan tres bits de datos por transistor —no dos como en las 2D NAND— y llegarían a almacenar hasta 1 TB de datos.
De esta forma se incrementa la capacidad de los dispositivos móviles, toda vez que actualmente se ofrecen productos de apenas 64 GB para teléfonos inteligentes y tabletas.